Hocheffiziente MIS-n+p-Solarzellen auf multikristallinem Silicium-Material

Beschreibung

Lutz Mittelstädt befasst sich in seiner vorliegenden Arbeit mit der Weiterentwicklung und Übertragung des MIS-n+p-Solarzellenprozesses auf multikristallines Ausgangsmaterial. Wesentliche Erneuerung beim MIS-n+p-Prozess für multikristalline Wafer ist die Implementierung einer im Plasma bei Niedertemperatur abgeschiedenen Siliciumnitrid-Schicht zur Rückseitenpassivierung der multikristallinen Solarzellen. Diese ersetzt das Hochtemperaturoxid, das bisher zur Rückseitenpassivierung der monokristallinen Solarzellen verwendet wird. Mit dem angepassten MIS-n+p-Prozess wird auf multikristallinem Material ein unabhängig bestätigter Wirkungsgrad von 18.1 % erreicht. Insgesamt zeigt Lutz Mittelstädt, dass der angepasste Solarzellenprozess hervorragend geeignet ist, höchste Wirkungsgrade auf dünnen, multikristallinen Wafern zu erreichen. Anhand einer ökonomischen Bewertung wird außerdem dargelegt, dass die vorgestellte Technologie das Potenzial hat, die Gestehungskosten von photovoltaisch erzeugtem Strom drastisch zu reduzieren.